안녕하세요. 다보코퍼레이션㈜ 입니다. 다보코퍼레이션㈜의 강점 중 하나는 높은 수준의 기술인력입니다. 그 동안 다보는 이를 통해 고객님들에게 더 높은 가치를 전해드리고자 노력해왔습니다. 그 노력의 결실로 드디어 기술연구소를 설립하고 지난 주 개소식을 가졌습니다. 2017년을 마무리하고 2018년을 준비하며 다보는 새로운 도전을 시작하였습니다. 앞으로 다보코퍼레이션㈜ 기술연구소는 다보만의 독자적인 기술력으로 고객 여러분의 성공에 기여하는 최고의 파트너가 되도록 노력할 것입니다. 감사합니다.
안녕하세요. 다보코퍼레이션(주) 입니다. 2017년 12월 08일 다보코퍼레이션(주)의 송년회 행사가 있었습니다. 다보의 임직원들과 가족이 함께 모여 한 해 동안 있던 많은 일을 이야기 하였습니다. 2017년은 올해로 창립 20주년을 맞은 다보에게 뜻 깊은 한 해 였습니다. 국제 정세가 어려운 시기에 다보는 고객여러분의 격려와 도움으로 무사히 한 해를 마칠 수 있었습니다. 새로 맞이하는 2018년 무술년(戊戌年)에는 더욱 더 노력하고 열심히 하는 모습으로 고객들에게 더 나은 가치를 제공할 수 있도록 최선을 다하겠습니다. 감사합니다.
안녕하세요. 다보코퍼레이션 입니다. 다보코퍼레이션이 1997년 5월 12일 설립이후, 올해로 창립 20주년을 맞이하였습니다. 급변하는 환경 및 여러 위기 속에서 다보코퍼레이션이 이토록 성장할 수 있었던 이유는 저희 다보코퍼레이션의 내/외부 고객의 격려와 도움이 있었기에 가능했을 것입니다. 앞으로도 저희 다보코퍼레이션은 이러한 사랑에 보답하기 위해 끊임없이 노력을 경주할 것이며 과거의 20년보다 앞으로의 미래에 보다 높은 가치를 고객들에게 제공할 수 있도록 최선을 다하겠습니다. 감사합니다.
실험 결과: Efficiency comparison between the three generations of Infineon’s 8A SiC Diodes a) Absolute values b) Refers to thinQ!™ Gen 5 (CCM PFC, high line, Pout max=1800 W, fSW=65 kHz, THS=60°C, MOSFET: IPW60R075CP) ThinQ!™ 5세대는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 인피니언의 선도 기술입니다. 인피니온은 3세대와 함께 출시했던 확산 솔더링 공정과 새롭고 보다 콤팩트한 설계와 박형 웨이퍼 기술을 통합했습니다. 이로써 새로운 제품군은 향상된 열 특성과 낮아진 성능 지수 (Qc x Vf)를 통해 전체 부하 조건에 대해 보다 향상된 효율을 제공합니다. thinQ!™ 5세대는 인피니언의 650V CoolMOS™ 제품군을 [...]
IGBT의 전력밀도가 지속적으로 증가하면서 전력 모듈과 히트싱크 사이의 효과적인 열 도전 특성이 설계자들에게 중요한 기술적 과제로 자리 잡아가고 있습니다. 인피니언은 자사의 전력 모듈을 위한 특수한 TIM(thermal interface material)을 개발해 왔습니다. 사전 적용된 재료는 시장에서 제공되고 있는 범용 재료보다 성능이 우수합니다. 이것은 최저 열 저항 특성을 제공하여 최고의 품질 표준을 충족시키기 때문에 긴 부품 수명과 탁월한 시스템 신뢰성을 보장합니다. TIM은 대부분의 인피니언의 기존 전력 모듈 패키지와 향후 제공될 설계들에서 사용할 수 있습니다. 인피니언의 TIM 처리가 된 모듈들은 신뢰할 수 있고 재현 가능한 열 도전성을 전력 [...]
안녕하세요. 다보코퍼레이션(주) 입니다. Infineon Technologies에서 고효율, 빠른 회복력을 가진 650V Rapid 1, Rapid 2 실리콘 다이오드를 출시했습니다. 신규 제품은 Infineon의 Ultrathin Wafer 제조 기술력과 Low Loss Vertical 구조, Unique한 Cell 설계 등을 통해 획기적으로 뛰어난 성능을 자랑합니다. 해당 제품은 고효율, Low EMI(Electromagnetic Interference), Ultrafast Reverse Recovery 시간과 향상된 System Reliability을 가지고 있어 기존 Silicon Carbide(SiC) 다이오드의 우수한 특성에 근접하면서 가격은 SiC diode 제품에 비해 훨씬 경쟁력을 갖추었습니다. Rapid 1, Rapid 2 다이오드는 기존 인피니온의 CoolMOS MOSFET와 TRENCHSTOP 5 IGBT에 최적의 동작 특성을 가지고 있으며 아래 [...]
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 차량용 네트워크 애플리케이션을 위해 설계된 최신 고속 CAN 트랜시버를 출시했다. TLE7250 제품군은 TLE7250G와 TLE7250GVIO로 구성되어 있다. TLE7250G는 5V 마이크로컨트롤러와 인터페이스하고, TLE7250GVIO는 전압 레퍼런스 핀을 제공하기 때문에 5V 또는 3.3V 마이크로컨트롤러 I/O 인터페이스를 지원한다. 이전 세대 대비 신형 트랜시버들은 1MHz에서부터 1GHz까지의 주파수 범위에 대해 EMI(Electromagnetic Interference)에 대한 향상된 내성을 제공하며 150kHz에서 1GHz 사이의 감소된 EME(Electromagnetic Emission) 특성을 제공한다. 이외에도 디바이스들은 IEC61000-4-2에 따라 최소 ±8kV의 탁월한 ESD 강건성을 제공한다. 전력을 사용하지 않을 때의 높은 임피던스 특성 때문에 TLE7250 트랜시버 [...]
인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 신형 TVS (Transient Voltage Suppression) 다이오드 시리즈를 출시했다. 신형 제품들은 스마트폰, 테블릿, eBook 및 기타 휴대용 컴퓨터 등과 같은 소비가전에서 심각한 장애 및 잠재적인 장애를 일으킬 수 있는 ESD (electrostatic discharge)에 대한 시스템 강건성을 크게 향상시킨다. 신형 실리콘 디바이스는 헤드폰 잭, 키패드, 터치 디스플레이 등의 외부 커넥터들과 연결되는 내부 전자회로를 보호할 수 있도록 특별히 설계되었다. 일반적으로 이들 외부 커넥터들은 외부 환경에 직접 노출되어 있기 때문에 ESD 진입 지점이 될 수 있다. 인피니언의 신형 ESD5V3L1B 다이오드를 외부 [...]
