Infineon: 650V SiC thinQ!™ 5세대 다이오드 출시
실험 결과: Efficiency comparison between the three generations of Infineon’s 8A SiC Diodes a) Absolute values b) Refers to thinQ!™ Gen 5 (CCM PFC, high line, Pout max=1800 W, fSW=65 kHz, THS=60°C, MOSFET: IPW60R075CP) ThinQ!™ 5세대는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 인피니언의 선도 기술입니다. 인피니온은 3세대와 함께 출시했던 확산 솔더링 공정과 새롭고 보다 콤팩트한 설계와 박형 웨이퍼 기술을 통합했습니다. 이로써 새로운 제품군은 향상된 열 특성과 낮아진 성능 지수 (Qc x Vf)를 통해 전체 부하 조건에 대해 보다 향상된 효율을 제공합니다. thinQ!™ 5세대는 인피니언의 650V CoolMOS™ 제품군을 [...]