Author - DABO

다보코퍼레이션(주)가 창립 20주년을 맞이하였습니다.

안녕하세요. 다보코퍼레이션 입니다. 다보코퍼레이션이 1997년 5월 12일 설립이후, 올해로 창립 20주년을 맞이하였습니다. 급변하는 환경 및 여러 위기 속에서 다보코퍼레이션이 이토록 성장할 수 있었던 이유는 저희 다보코퍼레이션의 내/외부 고객의 격려와 도움이 있었기에 가능했을 것입니다. 앞으로도 저희 다보코퍼레이션은 이러한 사랑에 보답하기 위해 끊임없이 노력을 경주할 것이며 과거의 20년보다 앞으로의 미래에 보다 높은 가치를 고객들에게 제공할 수 있도록 최선을 다하겠습니다. 감사합니다.

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Infineon: 650V SiC thinQ!™ 5세대 다이오드 출시

실험 결과: Efficiency comparison between the three generations of Infineon’s 8A SiC Diodes a) Absolute values b) Refers to thinQ!™ Gen 5 (CCM PFC, high line, Pout max=1800 W, fSW=65 kHz, THS=60°C, MOSFET: IPW60R075CP)   ThinQ!™ 5세대는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 인피니언의 선도 기술입니다. 인피니온은 3세대와 함께 출시했던 확산 솔더링 공정과 새롭고 보다 콤팩트한 설계와 박형 웨이퍼 기술을 통합했습니다. 이로써 새로운 제품군은 향상된 열 특성과 낮아진 성능 지수 (Qc x Vf)를 통해 전체 부하 조건에 대해 보다 향상된 효율을 제공합니다. thinQ!™ 5세대는 인피니언의 650V CoolMOS™ 제품군을 [...]

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Infineon: 신형 열 인터페이스 재료를 통한 IGBT 열전사 특성 및 장기 안전성 향상 소개

  IGBT의 전력밀도가 지속적으로 증가하면서 전력 모듈과 히트싱크 사이의 효과적인 열 도전 특성이 설계자들에게 중요한 기술적 과제로 자리 잡아가고 있습니다. 인피니언은 자사의 전력 모듈을 위한 특수한 TIM(thermal interface material)을 개발해 왔습니다. 사전 적용된 재료는 시장에서 제공되고 있는 범용 재료보다 성능이 우수합니다. 이것은 최저 열 저항 특성을 제공하여 최고의 품질 표준을 충족시키기 때문에 긴 부품 수명과 탁월한 시스템 신뢰성을 보장합니다. TIM은 대부분의 인피니언의 기존 전력 모듈 패키지와 향후 제공될 설계들에서 사용할 수 있습니다. 인피니언의 TIM 처리가 된 모듈들은 신뢰할 수 있고 재현 가능한 열 도전성을 전력 [...]

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Infineon Ultrafast 650V Rapid 1, Rapid 2 Diode 출시

안녕하세요. 다보코퍼레이션(주) 입니다.   Infineon Technologies에서 고효율, 빠른 회복력을 가진 650V Rapid 1, Rapid 2 실리콘 다이오드를 출시했습니다. 신규 제품은 Infineon의 Ultrathin Wafer 제조 기술력과  Low Loss Vertical 구조, Unique한 Cell 설계 등을 통해 획기적으로 뛰어난 성능을 자랑합니다.   해당 제품은 고효율, Low EMI(Electromagnetic Interference), Ultrafast Reverse Recovery 시간과 향상된 System Reliability을 가지고 있어 기존 Silicon Carbide(SiC) 다이오드의 우수한 특성에 근접하면서 가격은 SiC diode 제품에 비해 훨씬 경쟁력을 갖추었습니다.   Rapid 1, Rapid 2 다이오드는 기존 인피니온의 CoolMOS MOSFET와 TRENCHSTOP 5 IGBT에 최적의 동작 특성을 가지고 있으며 아래 [...]

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인피니언, 차세대 차량용 CAN 트랜시버 출시

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 차량용 네트워크 애플리케이션을 위해 설계된 최신 고속 CAN 트랜시버를 출시했다. TLE7250 제품군은 TLE7250G와 TLE7250GVIO로 구성되어 있다. TLE7250G는 5V 마이크로컨트롤러와 인터페이스하고, TLE7250GVIO는 전압 레퍼런스 핀을 제공하기 때문에 5V 또는 3.3V 마이크로컨트롤러 I/O 인터페이스를 지원한다. 이전 세대 대비 신형 트랜시버들은 1MHz에서부터 1GHz까지의 주파수 범위에 대해 EMI(Electromagnetic Interference)에 대한 향상된 내성을 제공하며 150kHz에서 1GHz 사이의 감소된 EME(Electromagnetic Emission) 특성을 제공한다. 이외에도 디바이스들은 IEC61000-4-2에 따라 최소 ±8kV의 탁월한 ESD 강건성을 제공한다. 전력을 사용하지 않을 때의 높은 임피던스 특성 때문에 TLE7250 트랜시버 [...]

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[인피니언] 매우 낮은 클램핑 전압을 갖는 신형 TVS 다이오드

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 신형 TVS (Transient Voltage Suppression) 다이오드 시리즈를 출시했다. 신형 제품들은 스마트폰, 테블릿, eBook 및 기타 휴대용 컴퓨터 등과 같은 소비가전에서 심각한 장애 및 잠재적인 장애를 일으킬 수 있는 ESD (electrostatic discharge)에 대한 시스템 강건성을 크게 향상시킨다. 신형 실리콘 디바이스는 헤드폰 잭, 키패드, 터치 디스플레이 등의 외부 커넥터들과 연결되는 내부 전자회로를 보호할 수 있도록 특별히 설계되었다. 일반적으로 이들 외부 커넥터들은 외부 환경에 직접 노출되어 있기 때문에 ESD 진입 지점이 될 수 있다. 인피니언의 신형 ESD5V3L1B 다이오드를 외부 [...]

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[1/31, 인피니언] 차량용 전력 반도체 용으로 혁신적인 H-PSOF 패키지 기술 발표

고전류 성능 및 고효율의 새로운 기준 정립 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 전기차와 하이브리드카를 포함한 까다로운 전장 애플리케이션을 위한 높은 전류 용량과 효율을 제공하는 혁신적인 패키지 기술을 발표했다. 이 새로운 TO 패키지는 JEDEC 표준인 H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat lead)를 준수한다. H-PSOF 패키지 기술을 이용해서 출시하는 첫 제품인 40V OptiMOS™ T2 전력 트랜지스터는 최대 300A의 전류 용량과 0.76mOhm()에 불과한 매우 낮은 RDS(on)을 제공한다.높은 성능의 전력 반도체 부품을 이용하면 자동차 시스템 디자이너들이 연비 향상과 전반적인 배기가스 저감을 요구하는 정부 규정을 [...]

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[12/8, 인피니언] 2011년 회계연도에 전년 대비 21% 성장한 40억 유로 매출에 19.7% 영업이익 달성

인피니언 테크놀로지스 코리아(대표이사 이승수)는 삼성동 파크하얏트 호텔에서 기자간담회를 열고, 2011년 9월 30일 마감된 인피니언의 2011년 회계연도 사업 실적 및 2012년 전망을 발표하고, 신흥시장을 효과적으로 개척하기 위한 조직 변경과 인피니언 코리아의 연구소 개소 소식을 전했다.  인피니언 테크놀로지스의 2011년 사업 실적 인피니언은 2010년 51% 매출 성장에 이어, 2011년 또 다시 21% 성장한 40억 유로(Euro 3.997 billion) 매출에 전체 영업 이익(Total Segment Result Margin) 19.7%(Euro 786 million)를 달성하였다. 영업 이익은 2010년 대비 65% 성장한 수치이다. 또한 같은 기간 인피니언의 주가는 10% 가량 상승했다. 참고로 [...]

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