인피니언, 혁신적인 소스-다운 기술 적용한 OptiMOS™ 전력 MOSFET 출시
인피니언, 혁신적인 소스-다운 기술 적용한 OptiMOS™ 전력 MOSFET 출시 출처: 인피니언 테크놀로지스 2022-01-11 10:56 인피니언 PQFN SDplusCG 서울–(뉴스와이어) 2022년 01월 11일 — 최신 전력 시스템 설계 시 높은 전력 밀도, 최적화된 성능, 사용 편의성이 중요하게 요구된다. 이러한 설계 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET를 출시한다고 11일 밝혔다. 이들 제품은 PQFN 3.3mmx3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공된다. MOSFET 성능에 새로운 기준을 제시하는 이 패키지는 더 높은 효율, 더 높은 전력 밀도, 더 우수한 열 관리 및 낮은 BOM (bill [...]