첨단 실리콘 카바이드(SiC) 칩은 널리 사용되는 다양한 Easy 모듈 제품군에 적용될 뿐만 아니라 .XT 인터커넥트 기술을 적용한 디스크리트 패키지로도 제공될 것이다. 유연성이 뛰어난 M1H 칩은 태양광 에너지 시스템의 인버터같이 피크 요구를 충족해야 하는 애플리케이션뿐만 아니라 급속 EV 충전, 에너지 저장 시스템 및 다양한 산업용 애플리케이션에 적합하다.

CoolSiC 베이스 기술의 최신 발전은 더 큰 게이트 동작 범위를 가능하게 해 주어진 다이 크기로 온저항을 향상한다. 또한 더 큰 게이트 동작 범위는 높은 스위칭 주파수에서도 어떠한 제한 없이 게이트에서 드라이버나 레이아웃 관련 전압 피크에 대해 높은 견고성을 제공한다. M1H 칩 기술은 다양한 패키지 옵션으로 제공되므로 설계 엔지니어가 전력 밀도를 높이거나 애플리케이션 성능을 높이고자 하는 것에 따라서 적합한 제품을 선택할 수 있다.

◇Easy 모듈로 전력 밀도 향상

널리 사용되는 Easy 제품군에 M1H를 적용해서 Easy 1B 및 2B 모듈을 더욱 향상하게 됐으며, 새로운 1200V CoolSiC MOSFET을 적용한 Easy 3B 모듈도 출시 예정이다. 새로운 칩 크기를 추가함으로써 설계 유연성을 높이고 업계에서 가장 다양한 제품 포트폴리오를 제공하게 됐다. M1H 칩을 사용해서 모듈의 온저항을 크게 향상하고 디바이스 신뢰성과 효율을 높일 수 있게 됐다.

175°C의 최대 접합부 온도는 과부하 성능을 향상함으로써 전력 밀도를 높이고 결함에 대한 견고성을 높이도록 한다. 앞서 출시된 M1과 비교해서 M1H는 내부 RG를 포함하므로 스위칭 동작을 쉽게 최적화할 수 있으며, 동적 동작은 그대로이다.

◇온저항이 매우 낮은 디스크리트 패키지 제품

CoolSiC MOSFET 1200V M1H 포트폴리오는 TO247-3과 TO247-4 패키지로 온저항이 매우 낮은 7mΩ, 14mΩ, 20mΩ 디스크리트 제품들을 포함한다. 이들 디바이스는 디자인-인이 쉽고, -10V에 이르는 최대 네거티브 게이트-소스 전압이 가능하므로 게이트 전압 오버슈트 및 언더슈트에 있어서 유리하며, 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 보호 기능을 포함한다.

인피니언의 .XT 인터커넥트 기술은 이미 D2PAK-7L 패키지에 적용됐으며, 이제 TO 풋프린트에도 적용된다. 이 기술은 표준 인터커넥션에 비해 열 방출 능력을 30% 이상 향상시킨다. 이 열적 이점은 출력 전력을 15%까지 높일 수 있다. 또는 스위칭 주파수를 높임으로써 전기차 충전, 에너지 저장, 태양광 시스템 등에서 수동 부품을 줄일 수 있으며 그럼으로써 전력 밀도를 높이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 시스템 동작 조건을 바꾸지 않고서도 .XT 기술이 SiC MOSFET 접합부 온도를 낮춰 전원 사이클링 성능을 향상시키고 시스템 수명을 늘린다. 이 점은 서보 드라이브 같은 애플리케이션에서 중요하다.

◇공급

모듈 및 디스크리트 제품은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다.

인피니언 개요

인피니언 테크놀로지스는 생활의 편리함과 안전 그리고 친환경을 추구하는 세계 반도체 솔루션 시장의 선두 주자이다. 인피니언의 마이크로일렉트로닉스는 더 나은 미래를 위한 핵심 기술이다. 2021년 회계연도(9월 30일 마감) 기준 전 세계 약 5만280명의 직원과 함께 111억유로 매출을 달성했다. 세계 10대 반도체 회사 중 하나인 인피니언은 프랑크푸르트 증권거래소(거래 심볼: IFX)와 미국 장외시장 OTCQX International Premier (거래 심볼: IFNNY)에 등록돼 있다.

태양광 에너지 시스템 정보: https://bit.ly/38baNnF
급속 EV 충전 정보: https://bit.ly/3Ewdook
TO247-3 패키지 정보: https://bit.ly/3EAzA0w
TO247-4 패키지 정보: https://bit.ly/3xMjH5V
모듈 및 디스크리트 제품 정보: https://bit.ly/3xMgkMi

웹사이트: http://www.infineon.kr