[Webinar] Infineon-SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기 (2021.07.22, AM10:30~11:30)

Back to 글

[Webinar] Infineon-SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기 (2021.07.22, AM10:30~11:30)

Category: Notice Post Date: 2021-07-13

[Webinar] Infineon-SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기

[2021.07.22, AM 10:30 ~ 11:30]

인피니언 코리아 산업용 전력 제어 사업부 이건호 차장

SiC MOSFET은 실리콘 소자에 비해 가격이 비싸지만 높은 효율과 컴팩트한 사이즈라는 강점을 지닙니다.

하지만 시스템 디자인을 최적화시키지 못하면 이러한 이점을 활용하지 못할 뿐만 아니라 시스템의 신뢰성까지 떨어뜨릴 수 있습니다.

이번 웨비나에서는 실제 SiC MOSFET 평가 보드를 이용해서 “선정된 소자가 적절한지”와
“적합한 게이트 저항값이 선정되었는지”를 확인하기 위해 어떤 테스트를 진행하는지 소개합니다.

테스트 과정과 실제 파형을 포함하여 튜닝 방법을 소개할 예정입니다.

  1. SiC MOSFET은 물론 대부분의 반도체 소자가 사용되는 시스템의 상태를 진단하고, 최적화된 게이트 저항을 선정하기 위한 테스트 방법을 소개합니다.
    인피니언에서 ‘더블 펄스 테스트’ (Double pulse test)라고 부르는 이 방법은 인피니언뿐만 아니라 많은 업체에서 사용하고 있는 테스트 방법입니다.
    더블 펄스 테스트를 어떻게 셋업하고 진행하는지에 대해서 설명합니다.
    .
  2. TO-247 3-Pin SiC MOSFET과 1ED3491 드라이브 IC로 구성된 평가 보드를 이용해서,
    실제 더블 펄스 테스트를 진행하면서 어떠한 과정을 거쳐서 게이트 저항을 선정하는지 소개합니다.
    .
  3. 선정된 게이트 저항으로부터 현재 시스템에서의 Eon과 Eoff를 측정하는 방법을 소개합니다.
    .
  4. 단락 테스트를 통해 시스템의 보호 기능이 잘 동작하는지 확인하는 방법을 소개합니다.
    .
  5. 마지막으로, 인피니언의 SiC MOSFET과 드라이브 IC가 타사 대비 어떤 강점을 갖는지 설명하고, 유용하게 활용할 수 있는 평가 보드를 소개합니다.

SiC MOSFET 설계 중 소자 선정과 게이트 저항값 튜닝은 가장 어려우면서도 가장 중요한 부분입니다.
여러분의 설계에 도움이 되고자 이번 웨비나를 준비했습니다. 많은 참석 부탁드립니다.

[웨비나 주요내용]
  • 더블 펄스 테스트(Double pulse test)의 셋업과 테스트 방법
  • SiC MOSFET 평가 보드를 이용한 실제 게이트 저항 튜닝
  • 시스템 보호 기능 체크와 인피니언 소자의 특장점 소개

Latest News

Back to 글
error: Content is protected !!