[Webinar] Infineon-SiC MOSFET 평가 보드로 시스템 상태 진단하고 게이트 저항값 튜닝하기 (2021.07.22, AM10:30~11:30)

하지만 시스템 디자인을 최적화시키지 못하면 이러한 이점을 활용하지 못할 뿐만 아니라 시스템의 신뢰성까지 떨어뜨릴 수 있습니다.

이번 웨비나에서는 실제 SiC MOSFET 평가 보드를 이용해서 “선정된 소자가 적절한지”와
“적합한 게이트 저항값이 선정되었는지”를 확인하기 위해 어떤 테스트를 진행하는지 소개합니다.

테스트 과정과 실제 파형을 포함하여 튜닝 방법을 소개할 예정입니다.

1. SiC MOSFET은 물론 대부분의 반도체 소자가 사용되는 시스템의 상태를 진단하고, 최적화된 게이트 저항을 선정하기 위한 테스트 방법을 소개합니다.
   인피니언에서 ‘더블 펄스 테스트’ (Double pulse test)라고 부르는 이 방법은 인피니언뿐만 아니라 많은 업체에서 사용하고 있는 테스트 방법입니다.
   더블 펄스 테스트를 어떻게 셋업하고 진행하는지에 대해서 설명합니다.
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2. TO-247 3-Pin SiC MOSFET과 1ED3491 드라이브 IC로 구성된 평가 보드를 이용해서,
   실제 더블 펄스 테스트를 진행하면서 어떠한 과정을 거쳐서 게이트 저항을 선정하는지 소개합니다.
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3. 선정된 게이트 저항으로부터 현재 시스템에서의 Eon과 Eoff를 측정하는 방법을 소개합니다.
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4. 단락 테스트를 통해 시스템의 보호 기능이 잘 동작하는지 확인하는 방법을 소개합니다.
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5. 마지막으로, 인피니언의 SiC MOSFET과 드라이브 IC가 타사 대비 어떤 강점을 갖는지 설명하고, 유용하게 활용할 수 있는 평가 보드를 소개합니다.

EiceDRIVER™ 및 CoolSiC™ MOSFET으로 구성된 게이트 드라이버 평가 보드 (EVAL-1EDC20H12AH-SIC)