Infineon Ultrafast 650V Rapid 1, Rapid 2 Diode 출시

안녕하세요. 다보코퍼레이션(주) 입니다.

Infineon Technologies에서 고효율, 빠른 회복력을 가진 650V Rapid 1, Rapid 2 실리콘 다이오드를 출시했습니다.

신규 제품은 Infineon의 Ultrathin Wafer 제조 기술력과  Low Loss Vertical 구조, Unique한 Cell 설계 등을 통해 획기적으로 뛰어난 성능을 자랑합니다.

해당 제품은 고효율, Low EMI(Electromagnetic Interference), Ultrafast Reverse Recovery 시간과 향상된 System Reliability을 가지고 있어

기존 Silicon Carbide(SiC) 다이오드의 우수한 특성에 근접하면서 가격은 SiC diode 제품에 비해 훨씬 경쟁력을 갖추었습니다.

Rapid 1, Rapid 2 다이오드는 기존 인피니온의 CoolMOS MOSFET와 TRENCHSTOP 5 IGBT에 최적의 동작 특성을 가지고 있으며

아래 링크된 주소에서 해당 제품의 동영상을 보실 수 있으니 많은 참고 부탁 드립니다.

<http://www.youtube.com/watch?feature=player_embedded&v=bURr00dFF-Q>

Rapid 1 with optimized V _F

The Infineon Rapid 1 diode family has a 1.35V temperature-stable forward voltage (VF) to ensure lowest conduction losses and provide a soft recovery to keep EMI emissions to a minimum. The devices are perfectly suited for Power Factor Correction (PFC) topologies, typically found in major home appliances, like air conditioners and washing machines, as well as boost stages in photovoltaic inverters, which are switching between 18 kHz and 40 kHz.

Rapid 2 with optimized Q _rr and t _rr

The Rapid 2 diode family is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz. It offers both low reverse recovery charge (Q _rr) and reverse recovery time (t _rr). This minimizes reverse conduction effects attributed to power switch turn-on losses and thus provides maximum efficiency. Rapid 2 is targeted at PFC stages found in servers, telecom rectifiers, TV and laptop power adapters, and welding machines. Here the Rapid 2 diode shows excellent compatibility with Infineon`s CoolMOS™ MOSFETs and high speed IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) such as the TRENCHSTOP™ 5.

보다 자세한 제품 설명이 필요하실 경우 저희 다보코퍼레이션(주)로 문의 주시면 성심 성의껏 답변 드릴 수 있도록 하겠습니다.

감사합니다.

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