Infineon: 650V SiC thinQ!™ 5세대 다이오드 출시
Post Date: 2018-12-26실험 결과:
Efficiency comparison between the three generations of Infineon’s 8A SiC Diodes
a) Absolute values b) Refers to thinQ!™ Gen 5
(CCM PFC, high line, Pout max=1800 W, fSW=65 kHz, THS=60°C, MOSFET: IPW60R075CP)
ThinQ!™ 5세대는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 인피니언의 선도 기술입니다.
인피니온은 3세대와 함께 출시했던 확산 솔더링 공정과 새롭고 보다 콤팩트한 설계와 박형 웨이퍼 기술을 통합했습니다.
이로써 새로운 제품군은 향상된 열 특성과 낮아진 성능 지수 (Qc x Vf)를 통해 전체 부하 조건에 대해 보다 향상된 효율을 제공합니다.
thinQ!™ 5세대는 인피니언의 650V CoolMOS™ 제품군을 보완할 수 있도록 설계되었기 때문에 이 전압 범위에서 가장 엄격한 애플리케이션 요구사항들을 준수할 수 있도록 보장합니다.
| < 주요 특징 > |
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