CoolSiC MOSFET 650V 제품은 27mΩ 부터 107mΩ에 이르는 온-저항(RDS(ON)) 정격을 갖는다. 표준 TO-247 3핀뿐만 아니라 TO-247 4핀 패키지로도 제공되어 스위칭 손실을 더 낮출 수 있다. 기존에 출시된 CoolSiC MOSFET 제품과 마찬가지로 새로운 650V 제품 역시 인피니언의 최신 트렌치 반도체 기술을 채택하고 있다. SiC의 뛰어난 물리적 특성을 극대화하여 뛰어난 신뢰성과 동급 최상의 스위칭 및 전도 손실을 제공한다. 또한 최고의 트랜스컨덕턴스 레벨(증폭율), 4V 문턱 전압(Vth), 단락 회로 견고성을 특징으로 한다. 트렌치 기술은 애플리케이션에서 손실을 최소화하고 가동 시에 최고의 신뢰성을 달성한다.

650V CoolSiC MOSFET은 시중의 다른 실리콘 및 실리콘 카바이드 솔루션 대비 고주파수에서 스위칭 효율과 뛰어난 신뢰성 등 매력적인 이점을 제공한다. 온도에 대한 온 상태 저항(RDS(on)) 종속성이 매우 낮아 열 동작이 우수하다. 견고하고 안정적인 바디 다이오드를 통합하여 매우 낮은 역 복구 전하 (QRR)를 유지하는 데 가장 우수한 수퍼정션 CoolMOS MOSFET 대비 약 80퍼센트가 더 낮다. 또한 정류 견고성이 우수하여 연속 전도 모드 토템폴 PFC를 사용해서 손쉽게 98퍼센트의 전체 시스템 효율을 달성할 수 있다.

CoolSiC MOSFET 650V 제품을 사용하여 애플리케이션 설계를 용이하게 하고 최대의 성능을 달성할 수 있도록 인피니언은 1채널 및 2채널 전기적 절연형 EiceDRIVER 게이트 드라이버 IC를 제공한다. CoolSiC 스위치와 전용 게이트 드라이버 IC를 결합한 솔루션으로 시스템 비용과 총소유비용을 낮추고 에너지 효율을 향상시킬 수 있다. CoolSiC MOSFET은 인피니언 EiceDRIVER 게이트 드라이버 제품군의 다른 IC와도 원활하게 동작한다.