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Press Releases
조회 수 : 15963
2013.04.22 (16:42:12)

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실험 결과:
Efficiency comparison between the three generations of Infineon's 8A SiC Diodes
a) Absolute values b) Refers to thinQ!™ Gen 5
(CCM PFC, high line, Pout max=1800 W, fSW=65 kHz, THS=60°C, MOSFET: IPW60R075CP)

 

ThinQ!™ 5세대는 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 인피니언의 선도 기술입니다. 

인피니온은 3세대와 함께 출시했던 확산 솔더링 공정과 새롭고 보다 콤팩트한 설계와 박형 웨이퍼 기술을 통합했습니다.

이로써 새로운 제품군은 향상된 열 특성과 낮아진 성능 지수 (Qc x Vf)를 통해 전체 부하 조건에 대해 보다 향상된 효율을 제공합니다.

thinQ!™ 5세대는 인피니언의 650V CoolMOS™ 제품군을 보완할 수 있도록 설계되었기 때문에 이 전압 범위에서 가장 엄격한 애플리케이션 요구사항들을 준수할 수 있도록 보장합니다.

 
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< 주요 특징 >                                                < 적용 >
  • Vbr @ 650V
  • 향상된 성능지수(Qc x Vf)
  • 역회복(reverse recovery) 전하 없음
  • 소프트 스위칭 역회복 파형
  • 온도-독립적인 스위칭 동작
  • 높은 동작 온도 (Tj max 175°C)
  • 향상된 서지(surge) 성능
  • 무연 리드 플레이팅
  • SiC 다이오드 제조에 대한 10년의 경험

 

보다 자세한 제품 설명이 필요하실 경우 저희 다보코퍼레이션(주)로 문의 주시면 성심 성의껏 답변 드릴 수

있도록 하겠습니다.

감사합니다.

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